Làm nổi bật:
Loại: |
IC CHIP, Transistor Triode, Transistor IGBT, Transistor Triode |
Nhiệt độ hoạt động: |
NA |
Dòng: |
Tiêu chuẩn |
Loại lắp đặt: |
Tiêu chuẩn |
Mô tả: |
IRF4905PBF |
Đ/C: |
Mới nhất |
Loại gói: |
Xuyên lỗ |
Ứng dụng: |
MOSFET |
Loại nhà cung cấp: |
Các loại khác |
Tham chiếu chéo: |
NA |
phương tiện có sẵn: |
Bảng dữliệu |
Thương hiệu: |
NA |
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa): |
NA |
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa): |
NA |
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic: |
NA |
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa): |
NA |
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce: |
NA |
Sức mạnh tối đa: |
NA |
Tần suất - Chuyển tiếp: |
NA |
Bao bì / Vỏ: |
NA |
Điện trở - Đế (R1): |
NA |
Điện trở - Cơ sở phát (R2): |
NA |
Loại FET: |
NA |
Tính năng FET: |
Tiêu chuẩn |
Xả điện áp nguồn (Vdss): |
NA |
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C: |
NA |
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vss: |
NA |
Vss(th) (Tối đa) @ Id: |
NA |
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss: |
NA |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds: |
NA |
Tần số: |
NA |
Đánh giá hiện tại (Amps): |
NA |
Hình tiếng ồn: |
NA |
Công suất - Đầu ra: |
NA |
Điện áp - Định mức: |
NA |
Điện áp truyền động (Bật Rds tối đa, Bật Rds tối thiểu): |
NA |
VGS (Tối đa): |
NA |
Loại IGBT: |
NA |
Cấu hình: |
Tiêu chuẩn |
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic: |
NA |
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce: |
NA |
Nhập: |
NA |
Nhiệt điện trở NTC: |
NA |
Điện áp - Sự cố (V(BR)GSS): |
NA |
Hiện tại - Xả (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
NA |
Cống hiện tại (Id) - Tối đa: |
NA |
Điện áp - Ngắt (VGS tắt) @ Id: |
NA |
Kháng cự - RDS(Bật): |
NA |
Điện áp: |
NA |
Điện áp - Đầu ra: |
NA |
Điện áp - Bù đắp (Vt): |
NA |
Dòng điện - Rò rỉ cổng tới cực dương (Igao): |
NA |
Hiện tại - Thung lũng (Iv): |
NA |
Hiện tại - Cao điểm: |
NA |
Ứng dụng: |
NA |
Loại bóng bán dẫn: |
bóng bán dẫn điện mrf150 rf |
Cảng: |
Shenzhen |
MOSFET IRF 100V 120A đến 220AB IRFB4110 IRFB4110PBF IRFB4110 IC
