Chi tiết sản phẩm
Điều khoản thanh toán và vận chuyển
Mô tả: JFET N-CH 30V TO18
Nhóm: |
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Transistor JFET |
Loại FET: |
kênh N |
Tình trạng sản phẩm: |
Hoạt động |
Điện áp - Sự cố (V(BR)GSS): |
30 V |
Loại lắp đặt: |
Qua lỗ |
Gói: |
Nhập xách |
Dòng: |
- |
Hiện tại - Xả (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
175 mA @ 15 V |
Mfr: |
Tập đoàn Microsemi |
Điện áp - Ngắt (VGS tắt) @ Id: |
10 V @ 500 pA |
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp: |
TO-18 |
Bao bì / Vỏ: |
Hộp kim loại TO-206AA, TO-18-3 |
Sức mạnh tối đa: |
360 mW |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds: |
18pF @ 10V (VGS) |
Kháng cự - RDS(Bật): |
25 Ôm |
Xả điện áp nguồn (Vdss): |
30 V |
Số sản phẩm cơ bản: |
2N4859 |
Nhiệt độ hoạt động: |
-65°C ~ 200°C (TJ) |
Nhóm: |
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Transistor JFET |
Loại FET: |
kênh N |
Tình trạng sản phẩm: |
Hoạt động |
Điện áp - Sự cố (V(BR)GSS): |
30 V |
Loại lắp đặt: |
Qua lỗ |
Gói: |
Nhập xách |
Dòng: |
- |
Hiện tại - Xả (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
175 mA @ 15 V |
Mfr: |
Tập đoàn Microsemi |
Điện áp - Ngắt (VGS tắt) @ Id: |
10 V @ 500 pA |
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp: |
TO-18 |
Bao bì / Vỏ: |
Hộp kim loại TO-206AA, TO-18-3 |
Sức mạnh tối đa: |
360 mW |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds: |
18pF @ 10V (VGS) |
Kháng cự - RDS(Bật): |
25 Ôm |
Xả điện áp nguồn (Vdss): |
30 V |
Số sản phẩm cơ bản: |
2N4859 |
Nhiệt độ hoạt động: |
-65°C ~ 200°C (TJ) |
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
