Chi tiết sản phẩm
Điều khoản thanh toán và vận chuyển
Mô tả: JFET N-CH 30V UB
Nhóm: |
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Transistor JFET |
Loại FET: |
kênh N |
Tình trạng sản phẩm: |
Hoạt động |
Điện áp - Sự cố (V(BR)GSS): |
30 V |
Loại lắp đặt: |
Mặt đất |
Gói: |
Dây băng và cuộn (TR) |
Dòng: |
Quân đội, MIL-PRF-19500/385 |
Hiện tại - Xả (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
8 mA @ 15 V |
Mfr: |
Công nghệ vi mạch |
Điện áp - Ngắt (VGS tắt) @ Id: |
800 mV @ 500 pA |
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp: |
UB |
Bao bì / Vỏ: |
3-SMD, Không Chì |
Sức mạnh tối đa: |
360 mW |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds: |
18pF @ 10V |
Kháng cự - RDS(Bật): |
60 Ôm |
Xả điện áp nguồn (Vdss): |
30 V |
Nhiệt độ hoạt động: |
-65°C ~ 200°C (TJ) |
Nhóm: |
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Transistor JFET |
Loại FET: |
kênh N |
Tình trạng sản phẩm: |
Hoạt động |
Điện áp - Sự cố (V(BR)GSS): |
30 V |
Loại lắp đặt: |
Mặt đất |
Gói: |
Dây băng và cuộn (TR) |
Dòng: |
Quân đội, MIL-PRF-19500/385 |
Hiện tại - Xả (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
8 mA @ 15 V |
Mfr: |
Công nghệ vi mạch |
Điện áp - Ngắt (VGS tắt) @ Id: |
800 mV @ 500 pA |
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp: |
UB |
Bao bì / Vỏ: |
3-SMD, Không Chì |
Sức mạnh tối đa: |
360 mW |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds: |
18pF @ 10V |
Kháng cự - RDS(Bật): |
60 Ôm |
Xả điện áp nguồn (Vdss): |
30 V |
Nhiệt độ hoạt động: |
-65°C ~ 200°C (TJ) |
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
