Chi tiết sản phẩm
Điều khoản thanh toán và vận chuyển
Mô tả: JFET N-CH 25V TO92-3
Nhóm: |
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Transistor JFET |
Loại FET: |
kênh N |
Tình trạng sản phẩm: |
Bị lỗi thời |
Điện áp - Sự cố (V(BR)GSS): |
25 V |
Loại lắp đặt: |
Qua lỗ |
Gói: |
Băng & Hộp (TB) |
Dòng: |
- |
Hiện tại - Xả (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
10 mA @ 5 V |
Mfr: |
NXP Hoa Kỳ Inc. |
Điện áp - Ngắt (VGS tắt) @ Id: |
4 V @ 1 µA |
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp: |
TO-92-3 |
Bao bì / Vỏ: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Dẫn được hình thành |
Sức mạnh tối đa: |
400 mW |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds: |
30pF @ 0V |
Kháng cự - RDS(Bật): |
18 Ohm |
Xả điện áp nguồn (Vdss): |
25 V |
Số sản phẩm cơ bản: |
J110 |
Nhiệt độ hoạt động: |
150°C (TJ) |
Nhóm: |
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Transistor JFET |
Loại FET: |
kênh N |
Tình trạng sản phẩm: |
Bị lỗi thời |
Điện áp - Sự cố (V(BR)GSS): |
25 V |
Loại lắp đặt: |
Qua lỗ |
Gói: |
Băng & Hộp (TB) |
Dòng: |
- |
Hiện tại - Xả (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
10 mA @ 5 V |
Mfr: |
NXP Hoa Kỳ Inc. |
Điện áp - Ngắt (VGS tắt) @ Id: |
4 V @ 1 µA |
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp: |
TO-92-3 |
Bao bì / Vỏ: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Dẫn được hình thành |
Sức mạnh tối đa: |
400 mW |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds: |
30pF @ 0V |
Kháng cự - RDS(Bật): |
18 Ohm |
Xả điện áp nguồn (Vdss): |
25 V |
Số sản phẩm cơ bản: |
J110 |
Nhiệt độ hoạt động: |
150°C (TJ) |
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
