Chi tiết sản phẩm
Điều khoản thanh toán và vận chuyển
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Category: |
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes |
Product Status: |
Active |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
15 µA @ 1200 V |
Mounting Type: |
Through Hole |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: |
1.8 V @ 50 A |
Package: |
Tube |
Series: |
SiC Schottky MPS™ |
Capacitance @ Vr, F: |
1835pF @ 1V, 1MHz |
Supplier Device Package: |
TO-247-2 |
Thời gian khôi phục ngược (trr): |
0 giây |
Mfr: |
GeneSiC Semiconductor |
Công nghệ: |
SiC (Silicon cacbua) Schottky |
Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba: |
-55°C ~ 175°C |
Bao bì / Vỏ: |
TO-247-2 |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): |
1200 V |
Current - Average Rectified (Io): |
92A |
Speed: |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
Category: |
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes |
Product Status: |
Active |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
15 µA @ 1200 V |
Mounting Type: |
Through Hole |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: |
1.8 V @ 50 A |
Package: |
Tube |
Series: |
SiC Schottky MPS™ |
Capacitance @ Vr, F: |
1835pF @ 1V, 1MHz |
Supplier Device Package: |
TO-247-2 |
Thời gian khôi phục ngược (trr): |
0 giây |
Mfr: |
GeneSiC Semiconductor |
Công nghệ: |
SiC (Silicon cacbua) Schottky |
Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba: |
-55°C ~ 175°C |
Bao bì / Vỏ: |
TO-247-2 |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): |
1200 V |
Current - Average Rectified (Io): |
92A |
Speed: |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
