Chi tiết sản phẩm
Điều khoản thanh toán và vận chuyển
Mô tả: DIODE SIL CARB 1.2KV 36A TO220-2
Nhóm: |
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Đi-ốt Bộ chỉnh lưu Đi-ốt đơn |
Tình trạng sản phẩm: |
Hoạt động |
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr: |
200 µA @ 1200 V |
Loại lắp đặt: |
Qua lỗ |
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu: |
1,8V @ 15A |
Gói: |
Dây băng và cuộn (TR) |
Dòng: |
- |
Điện dung @ Vr, F: |
906pF @ 1V, 1MHz |
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp: |
TO-220-2 |
Thời gian khôi phục ngược (trr): |
0 giây |
Mfr: |
Công nghệ vi mạch |
Công nghệ: |
SiC (Silicon cacbua) Schottky |
Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba: |
-55°C ~ 175°C |
Bao bì / Vỏ: |
TO-220-2 |
Điện áp - Đảo ngược DC (Vr) (Tối đa): |
1200 V |
Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io): |
36A |
Tốc độ: |
Không có thời gian phục hồi > 500mA (Io) |
Số sản phẩm cơ bản: |
MSC015 |
Nhóm: |
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Đi-ốt Bộ chỉnh lưu Đi-ốt đơn |
Tình trạng sản phẩm: |
Hoạt động |
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr: |
200 µA @ 1200 V |
Loại lắp đặt: |
Qua lỗ |
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu: |
1,8V @ 15A |
Gói: |
Dây băng và cuộn (TR) |
Dòng: |
- |
Điện dung @ Vr, F: |
906pF @ 1V, 1MHz |
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp: |
TO-220-2 |
Thời gian khôi phục ngược (trr): |
0 giây |
Mfr: |
Công nghệ vi mạch |
Công nghệ: |
SiC (Silicon cacbua) Schottky |
Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba: |
-55°C ~ 175°C |
Bao bì / Vỏ: |
TO-220-2 |
Điện áp - Đảo ngược DC (Vr) (Tối đa): |
1200 V |
Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io): |
36A |
Tốc độ: |
Không có thời gian phục hồi > 500mA (Io) |
Số sản phẩm cơ bản: |
MSC015 |
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
